




近日,中车时代电气SiC财产化基地离子注入工艺装备技能调试完成,标记着SiC芯片出产线全线装备、工艺调试圆满完成,具有SiC产物的出产前提,下个月产线将正式启动试流片。 该出产线是海内首条6英寸SiC芯片出产线,总设置装备摆设投资3.5亿元人平易近币,得到了国度“02”专项、国度发改委新质料专项等国度重点项目撑持,是公司的重点投资项目之一。 半导体事业部SiC器件财产化设置装备摆设团队于时间紧、使命重、无成熟经验可借鉴的环境下,获得中科院微电子所技能撑持及协助,攻坚克难,经由过程缜密复杂的各方协调、踊跃推进,安全完成46台(套)工艺、检测测试装备搬入、调试,以和非凡厂务体系调试等一系列高难度、高伤害的使命。本月初于各方配合努力下完成为了末了一项工艺能力调试。今朝,该出产线厂务、动力、工艺、测试前提都已经完整,具有SiC产物的出产前提,可以实现4寸和6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研发与制造。 SiC单晶质料作为新型第三代半导体质料的代表,与当前主流的第二代硅基半导体质料比拟,可以或许有用提高体系效率、降低能耗、减小体系装配体积与重量、提高体系靠得住性。将来,半导体SiC质料建造成的功率器件将支撑起现今节能技能的成长趋势,成为节能装配最焦点的部件。SiC出产线工艺调试定期完成,是提高我国焦im电竞入口点功率半导体器件及抢占将来科技及财产制高点的需要,将助力公司半导体财产结构前沿技能范畴,抢占市场高地。