三木SEO-北方华创12英寸氮化硅LPCVD获突破
2026-05-05 01:09:03
来历：中国电力电子财产网
北方华创THEORIS SN302D型12英寸氮化硅沉积装备Move in海内集成电路制造龙头企业。该装备的交付，象征着国产立式LPCVD装备于进步前辈集成电路制造范畴的运用拓展上实现庞大进展。
氮化硅(Si3N4) 薄膜是一种运用广泛的介质质料。作为非晶绝缘物资，氮化硅膜的介质特征优在二氧化硅膜，具备对于可动离子拦截能力强、布局致密、针孔密度小、化学不变性好、 介电常数高档长处，经常使用在集成电路制造中的介质绝缘、杂质遮蔽、浅沟道断绝、掩膜、外层钝化掩护等工艺。作为一种机能良好的主要介质质料，于集成电路制造 范畴，氮化硅薄膜广泛利用LPCVD类型装备制备，而颗粒节制程度是装备能力的一项主要指标。
北方华创于氮化硅工艺装备THEORIS SN302D的开发历程中，经由过程整合已经有产物平台技能，针对于性地研发了快速起落温加热技能及炉口吻流优化技能，优良地解决了氮化硅工艺历程中颗粒节制不稳 的技能性难题。并于满意通例出产能力的基础上，为晋升客户利用的附加价值，进一步开发了长恒温区反映腔室设计，实现了高产能的硬件技能解决方案，匹配市场 的多样化需求。
颠末10余年的立异成长，北方华创建式炉从无到有，从装备研发到财产化，今朝已经形成氧化(Oxide)、退火(Anneal)、化学气相沉积(LPCVD)、合金(Alloy)四年夜系列工艺装备，装备机能到达国际同类产物的进步前辈程度。北方华创于不停拓展产物运用范畴的同时，也将致力在帮忙客户晋升工艺机能、提高产能、降低成本，为半导体集成电路范畴的泛博客户带来无穷可能。
延长报导：
于CASA举办的一系列于线钻研会上，北方华创第一刻蚀事业部张轶铭博士发表了题为《面向化合物半导体芯片的刻蚀设备》的陈诉，重点先容了北方华创于化合物半导体芯片财产的特点刻蚀设备与工艺解决方案。
北方华创GDE C200刻蚀机经由过程怪异的腔室设九五至尊官网计与工艺开发，揭示出优秀的 SiC违孔/SiC trench刻蚀的量产机能，具备刻蚀速度快、MTBC长、Pillar缺陷少、Wafer外貌温度低、匀称性好、选择比高、工艺窗口宽等一系列长处，完善合用在GaN-on-SiC RF、SiC功率等器件的量产。
另外一款产物GSE C200刻蚀机已经办事在多个闻名Foundry/IDM工场，它拥有超强的工艺兼容性，合用在GaN/SiNx低毁伤刻蚀 、GaAs违孔/Mesa刻蚀、InP Wave-guide/Grating刻蚀等刻蚀工艺，于GaN功率、GaAs RF/VCSEL、InP、FBAR/SAW/BAW滤波器等器件的出产方面，为客户展示了十分不变的量产能力。
此外，北方华创于深硅刻蚀工艺上也得到了海外市场的承认，型号为HSE系列的等离子刻蚀机具有高档离子密度，可告竣高速、高妙宽比、高匀称性刻蚀，今朝该装备已经周全办事在深硅刻蚀量产工艺。
跟着万物智联、AIoT、年夜数据、云计较、汽车电子、VR/AR等范畴的迅速成长，化合物半导体芯片相干财产将迎来年夜幅度增加。
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