三木SEO-苏州晶湛半导体发布新型多沟道异质结构外延片产品，提高电力电子系统的转化效率
2026-04-30 01:09:12
姑苏晶湛半导体有限公司发布了新型多沟道AlGaN/GaN异质布局外延片产物，于连结高电子迁徙率的同时，将载流子浓度提高了4倍以上。基在姑苏晶湛提供的该新型外延质料，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL)于多沟道高电子迁徙率晶体管技能上实现了冲破，同时实现了 1200V的高击穿电压以和低导通电阻，极年夜地提高了功率转化效率。相干结果已经在近日发表在Nature Electronics杂志（March, 25th，2021）
图：多沟道GaN HEMT布局外延片和其典型2DEG漫衍
最近几年来，跟着GaN电力电子器件的广泛运用，年夜年夜促成了如年夜功率快速充电器，太阳能光伏以和新能源汽车等范畴的技能立异及快速成长。为了进一步满意年夜功率体系中的超高转化效率的要求，需要同时实现高击穿电压以和低导通电阻。而于高电压运用下，氮化镓器件的发烧/能量的损耗重要由导通电阻引起，这是电力电子器件的最年夜挑战。 针对于这一很是具备挑战性的课题，从2017年起，姑苏晶湛半导体有限公司与瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL)互助配合研发多沟道高电子迁徙率晶体管技能。这项技能采用姑苏晶湛半导体怪异的多沟道异质布局外延片 (multi-channel AlGaN/GaN heterostructure)，经由过程若干个垂直集成的二维电子气(2DEG)通道，于连结高电子迁徙率的同时增长沟道中的载流子密度，其效果犹如增长多个新的快速车道，分流高速运动的载流子，从而有用地降低了导通电阻及发烧。于此新型多沟道外延片质料基础上制备的MOSHEMT器件，采用近似鳍式场效应晶体管（FinFET）的布局，怪异的漏斗状栅极设计可以有用地节制多个通道且固有电容较小。基在上述技能开发的耗尽型以和加强型新型纳米线功率晶体管，实现了低至2.5Ω 妹妹以和3.2Ω 妹妹导通电阻，同时连结1300V 的击穿电压，功率品质因数高达4.6 GW cm−2（耗尽型）以和3.8 GW cm−2 （加强型）。相干研究成果发表在行业顶级期刊Nature Electronics，IEEE Electron Device Letters，以和国际顶级集会IEDM，引起了广泛的存眷。 姑苏晶湛半导体有限公司开创人兼CEO，程凯博士评论道：“咱们于研发的一最先采用了年夜尺寸Si衬底生长基在氮化镓质料的多沟道异质布局，而且测验考试了多种布局设计。今朝优化的设计可以于厚度为130nm的4层沟道AlGaN/GaN异质结中，实现 100 Ωsq-1的面电阻， 4x1013cm-2的载流子浓度（Ns）以和 1,800 cm2V-1S-1的迁徙率（µ）。多沟道设计可以冲破单沟道器件的理论极限，进一步削减开态电阻及体系损耗，并能到达1200V体系的要求，年夜年夜提高GaN器件于高压功率范畴的竞争上风，于电动汽车、充电桩等高压运用范畴具备很年夜的潜力。此外，咱们已经具有于Si、SiC、蓝宝石等多种差别衬底上外延近似多沟道异质布局的能力，这类新型多沟道异质布局九五至尊官网器件于电力电子、通讯射频等范畴有很是广漠的运用空间。“
关在姑苏晶湛半导体有限公司 姑苏晶湛半导体有限公司建立在2012年，座落在江苏省姑苏市工业园区纳米城，拥有一个国际进步前辈的氮化镓外延质料研发及财产化基地，致力在为微波射频、电力电子器件及LED范畴提供高品质氮化镓外延质料。2014年末，晶湛半导体于全世界首家发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产物，并于2018年10月经由过程ISO9001质量系统认证。姑苏晶湛半导体有限公司将一直承袭着“成为办事全世界的氮化镓外延质料制造商”的愿景，为客户创造价值。更多资讯：www.enkris.com
-三木SEO-
服务热线