三木SEO-2022下半年将量产8吋衬底，至2025年第三类功率半导体CAGR达48%
2026-04-25 03:30:01
来历：TrendForce集邦咨询
今朝最具九五至尊官网成长潜力的质料即为具有高功率和高频率特征的宽禁带（Wide Band Gap；WBG）半导体，包罗碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），重要运用年夜宗为电动车、快充市场。据TrendForce集邦咨询研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将发展至47.1亿美元，年复合发展率达48%。
SiC合适高功率运用，如储能、风电、光伏、电动车、新能源车等对于电池体系具高度要求的财产。此中，电动车备受市场存眷，不外今朝市售电动车所搭载的功率半导体大都为硅基质料（Si base），如Si IGBT、Si MOSFET，但因为电动车电池动力体系慢慢往800V以上的高电压成长，相较在Si，SiC于高压的体系中有更好的机能表现，有望慢慢替换部门Si base设计，年夜幅提高汽车机能并优化整车架构，预估SiC功率半导体至2025年可达33.9亿美元。
GaN合适高频率运用，包括通信装配，以和用在手机、平板、笔电的快充。相较在传统快充，GaN快充拥有更年夜的功率密度，故充电速率更快，且体积更小便在携带，吸引不少OEM、ODM业者插手而最先高速成长，预估GaN功率半导体至2025年可达13.2亿美元。
TrendForce集邦咨询尤其提到，相较传统Si base，第三类功率半导体衬底制造难度较高且成本较为昂贵，今朝于各年夜衬底供给商的开发下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等业者陆续扩增产能，并将于2022下半年量产8吋衬底，预期第三类功率半导体将来几年产值仍有发展的空间。
-三木SEO-
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