来历：中国电子报
于近日召开的“2022半导体EUV生态体系全世界年夜会”上，全世界最年夜的光刻机供给商荷兰ASML暗示，本年其极紫外光刻机（EUV）出产量将跨越50台。EUV的供给一直遭到产能不足的限定。但从2019年的22台增长至本年的50台，估计ASML的EUV出货总量已经到达180台，出现加快入场之势。与此同时，三星、台积电及英特尔也于不停强化2/3nm的开发进程。EUV的加快入场亦将加重芯片三巨头于进步前辈工艺范畴的争取。
2025年EUV年产能将达90台
近日，ASML暗示，其EUV产量估计将从2019年的22台，增长到2020年的32台，2021年增长到42台，本年将跨越50台。ASML还有也公布了扩产规划，到2025-2026年将EUV及DUV的产能别离晋升到90台及600台。对于在业界更为存眷的下一代高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），ASML也做了新的披露。High-NA EUV的早期版本，估计将在来岁年末推出，并在2025年年末正式商用。
按照专家的先容，比拟DUV 浸没式光刻机采用193nm波长的深紫外光，EUV光刻体系中利用的极紫外光波长仅为13.5nm。其单次暴光就能够替换DUV的多重暴光步调，可以帮忙芯片制造商继承向7nm和如下更进步前辈的工艺推进，同时晋升效率及降低暴光成本。然而，今朝芯片制造商已经将制造工艺推进到3nm摆布，假如要继承推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA EUV。比拟今朝的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径晋升到0.55，可以进一步晋升装备的分辩率，经由过程多重暴光技能可撑持2nm和如下芯片工艺的制造。
今朝，台积电、三星、英特尔等头部芯片制造商正于鼎力大举投资更进步前辈的3nm、2nm技能，以满意高机能计较的需求。ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成了争取的要害。早于2021年7月，英特尔就公布将于2024年量产Intel 20A工艺（相称在2nm），并吐露将率先采用High-NA EUV。本年9月，台积电研究成长资深副总司理米玉杰也对于外暗示，台积电将于2024年取患上ASML新一代High-NA EUV光刻机，为客户成长相干的基础举措措施与架构解决方案。
光刻机的争取也鞭策了ASML事迹的增加。ASML首席履行官兼总裁Peter Wennink暗示，虽然当前宏不雅情况带来了短时间的不确定性，但市场对于其的持久需乞降公司产能仍将不变成长。不停扩展的运用空间及行业立异将继承鞭策半导体市场的增加。财报显示，ASML2022年第三季度实现净发卖额58亿欧元，毛利率为51.8%，净利润17亿欧元；估计第四序度净发卖额约为61亿至66亿欧元，毛利率约为49%；基在第四序度预期的中位数，估计2022年营收约为211亿欧元。
芯片年夜厂抓紧争购EUV
今朝，三星、台积电及英特尔均于强化进步前辈工艺的开发，EUV的加快入场则将加重这一争取态势。按照TrendForce集邦咨询的陈诉，于本年第二季度前十年夜晶圆代工产值中，台积电第二季度营收为181.5亿美元，5/4nm营收季增约11.1%，是第二季度营收体现最好的工艺节点，7/6nm工艺节点营收环比增加2.8%。而现阶段，台积电的重要方针是晋升3nm工艺的产量及良品率，并在2025年量产2nm工艺。此中，3nm工艺的进级版N3S、N3P将采用EUV，2nm工艺节点将利用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，比拟3nm有10%～15%的机能晋升，功耗降低25%～30%，出产中需要利用到High-NA EUV。台积电营业开发资深副总司理张晓强暗示，2024年有望取患上High-NA EUV装备，早期将重要用在与互助伙伴配合研究，尚不会量产，详细的量产将会是于2025年。
三星于5/4nm时代因良率欠安致使定单掉队在台积电后，但愿经由过程下一代的产物技能改造旋转场合排场。本年6月三星量产其第一代3nmGAE工艺。3nm GAP(GAA-Plus)是第一代3nm工艺的九五至尊官网进级版，估计将在2024年推出。为了撑持进步前辈工艺的开发与量产，三星电子副会长李于镕本年6月即赴欧与ASML签订项和谈，抢购EUV装备，预订来岁推出的High-NA EUV。
英特尔的追逐也很快，2021年量产Intel 7（相称在10nm）工艺，本年下半年量产或者做好量产Intel 4（相称在7nm）的预备。2023年，英特尔将发布代号为Meteor Lake CPU的第14代酷睿，利用Intel 4。这是英特尔第一个将利用EUV的出产节点。今后，英特尔还有将量产Intel20A，它将广泛利用EUV最年夜限度地提高晶体管密度，提供面子的机能改良，并降低功耗。于英特尔的规划中，这一工艺平台将与台积电第2、第三代3nm工艺技能（N3S、N3P）睁开竞争。英特尔还有于预备Intel18A（相称在1.8nm），进一步提高产物的PPA（机能、功率、面积）。对于在Intel18A，英特尔规划利用High-NA EUV。
可以看出，三星、台积电及英特尔三年夜芯片厂商都于致力在推进进步前辈工艺，从10nm、7/5nm向3/2nm演进，并将要害时点放于了2024-2025年。这也是EUV放量以和新一代High-NA EUV量产的时间。EUV和新一代High-NA EUV的加快入场加重了竞争历程。
半导体专家莫年夜康撰文指出，对于在2纳米技能，从工艺技能路径方面，三巨头可能无年夜的差异，都是从FinFET，走向GAA，再有一些变异，而采用的装备都同样，均为ASML的High-NA EUV光刻机。是以，从理论上讲，三家均可能乐成,此中的差异化于在良率、产能和出产线治理等方面。但换一个角度来看，EUV装备运用的优劣，也于很年夜水平上，影响着三年夜厂商于进步前辈工艺范畴的竞争进程。
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