三木SEO-集成 AMR 取代磁簧开关和霍尔效应传感器
2026-04-14 11:44:03
来历：SiliconSemiconductor
台积电推出全集成各向异性磁阻(AMR) 传感器，代替工业运用中的磁簧开关及霍尔效应传感器。
TSHA2101 是一款集成片上体系 (SIP)，险些不需要任何分外电路。 其全极设计可主动检测任一极性的程度磁场。
作为传统机械磁簧开关的替换品，TSHA2101 拥有更快的相应时间、卓着的耐用性以和抗磨损及抗老化能力。与传统霍尔效应器件比拟，AMR 传感用具有更宽的磁场检测规模，答应设计职员于其运用中利用更小、更薄的磁体。
TSHA2101 AMR 器件专为高要求的工业运用而设计，可于 2.7 至 30 VDC 的电源电压规模内、-40°C 至 105°C 的事情温度情况下运行。 它还有具备-30V反向电压掩护及输出过流掩护。
其运用包括呆板人发送及节制体系、半导体系体例造及加工装备中的线性及扭转传感体系中的液压及气动缸位置传感、医疗装备及体系、呆板缝纫及纺织机械、罐液位传感、数控及钻孔机、智能锁及安全电子体系。经由过程彻底密封的 IP67+ 掩护，也能够实现密封开关。
TSC产物副总裁Sam Wang 暗示：“TSHA2101 AMR 传感器的集成度让一个主要的电子设计问题成为一个简朴、集成、小型、经济高效的解决方案成为可能，从而节省了开发时间及资金。”
原文链接：
https://siliconsemiconductor.net/article/119134/Integrated_AMR_replaces_reed_switches_and_hall_effect_sensors
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