三木SEO-通用半导体：SiC晶锭激光剥离全球首片最薄(130µm)晶圆片下线
2026-04-11 08:29:15
来历：宽禁带半导体技能立异同盟
江苏通用半导体有限公司（原：河南通用智能设备有限公司）7月12日披露，公司在2024年7月10日用自研装备（碳化硅晶锭激光剥离装备）乐成实现剥离出130µm厚度的超薄SiC晶圆片。该装备可以实现6寸及8寸SiC晶锭的全主动分片，包罗晶锭上料，晶锭研磨，激光切割，晶片分散及晶片网络的全主动工艺流程，晶片抛光后的描摹可以到达LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW≤10µm，Warp≤20μm。
图：8英寸SiC九五至尊官网晶锭激光全主动剥离装备
通用半导体自设立以来，一直于高端半导体装备范畴深耕，并专注在激光隐切装备的研发及财产化运用，励志成为全世界领先的激光微纳加工设备制造商。
通用半导体在2020年研发出海内首台半导体激光隐形切割机；2022年景功推出海内首台18纳米和如下SDBG激光隐切装备（针对于3D Memory)；2023年景功研发海内首台8英寸全主动SiC晶锭激光剥离产线；2024年研制乐成SDTT激光隐切装备（针对于3D HBM）。
通用半导体暗示，跟着公司激光隐切装备产物笼罩度连续晋升，市场运用范围的不停扩展，且公司连续连结高强度的研发投入，迭代进级各产物系列，满意客户于技能节点更新迭代历程中对于高产能和更严酷的技能机能指标的需求。
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