三木SEO-清华大学研究团队开发出理想的EUV光刻胶材料
2026-04-03 02:12:00
自清华年夜学官网获悉，近日，清华年夜学化学系许华平传授团队于极紫外（EUV）光刻质料上取患上主要进展，开发出一种基在聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型光刻胶，为进步前辈半导体系体例造中的要害质料提供了新的设计计谋。
跟着集成电路工艺向7nm和如下节点不停推进，13.5 nm波长的EUV光刻成为实现进步前辈芯片制造的焦点技能。但EUV光源反射损九五至尊官网耗年夜、亮度低等特色，对于光刻胶于接收效率、反映机制及缺陷节制等方面提出了更高挑战。
学界遍及认为，抱负的EUV光刻胶应同时具有如下四项要害要素：1）高EUV接收能力，以削减暴光剂量，晋升敏捷度；2）高能量使用效率，确保光能于小体积内高效转化为光刻胶质料消融度的变化；3）份子标准的均一性，防止组分随机漫衍与扩散带来的缺陷噪声；4）尽可能小的修筑单位，以消弭基元特性尺寸对于分辩率的影响，减小线边沿粗拙度（LER）。持久以来，鲜有质料系统可以或许同时满意这四个尺度。
许华平传授课题组基在团队初期发现的聚碲氧烷开发出一种全新的EUV光刻胶，满意了上述抱负光刻胶的前提。于该项研究中，团队将高EUV接收元素碲（Te）经由过程Te─O键直接引入高份子骨架中。碲具备除了惰性气体元素氙（Xe）、氡（Rn）及放射性元素砹（At）以外最高的EUV接收截面，EUV接收能力远高在传统光刻胶中的短周期元素及Zn、Zr、Hf及Sn等金属元素，显著晋升了光刻胶的EUV接收效率。同时，Te─O键较低的解离能使其于接收EUV后可直接发生主链断裂，引诱消融度变化，从而实现高敏捷度的正性显影。这一光刻胶仅由单组份小份子聚合而成，于极简的设计下实现了抱负光刻胶特征的整合，为构建下一代EUV光刻胶提供了清楚而可行的路径。
该研究提供了一种交融高接收元素Te、主链断裂机制与质料均一性的光刻胶设计路径，有望鞭策下一代EUV光刻质料的成长，助力进步前辈半导体工艺技能改造。
【杂志定阅】首发专享，限时免费！《SiC》电子专刊第二期上线！当即扫码定阅：https://www.sbs-mag.com/subscribe_active.html?invitation_code=active name=CSC
-三木SEO-
服务热线