




4月6日,韩国独一一家纯晶圆代工公司启方半导体(Key Foundry) 公布,该公司已经开发出头具名向汽车半导体运用的第二代0.13微米嵌入式闪存工艺,年内就将周全投入量产。 五年多来,启方半导体借助第一代0.13微米嵌入式闪存技能,不停推进微节制器(MCU)、触控(Touch)及主动对于焦(AutoFocus)等各类消费类运用产物的量产。最新开发出的第二代0.13微米嵌YABO鸭脖官网入式闪存工艺合用在汽车零配件,彻底切合AEC-Q100靠得住性1级尺度。AEC-Q100是一项针对于汽车运用的集成电路(IC)靠得住性测试认证。要得到1级认证,该IC产物必需于高达125摄氏度的极度温度下,正常运转10年以上,同时还有要确保所有闪存的数据无缺无损。依附其深挚的专业堆集,以和取患上专利的侧壁选择性晶体管单位(SSTC)布局所突显的强盛特征,启方半导体将纠错码(ECC)内存添加到嵌入式闪存IP中,乐成开发出一种嵌入式闪存技能,并经由过程了各项AEC-Q100 1级测试。这类设计上的改良提高了该技能的闪存靠得住性,成为汽车电子运用的抱负之选。 启方半导体的一家韩国客户率先将这项新工艺运用到交通收费应对器的MCU产物上。启方半导体自行设计的128Kbyte eFlash IP已经嵌入这款经由过程产物级别测试的产物,本年启动周全量产。这是第一款采用启方半导体嵌入式闪存工艺的汽车运用产物。据该公司估计,该产物的乐成开发将有助在把这项技能的运用规模扩大到触控IC、无线充电IC及其他各类汽车产物。 与第一代工艺比拟,第二代技能于靠得住性及成本竞争力上均有较着晋升,估计将广泛运用在包括MCU、触控及主动对于焦于内的各类消费类运用。此外,于与BCD工艺(双极型-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺)相集成后,为各种电源产物带来了适合的解决方案,例如USB Type-C PD(USB C型电源通讯和谈)、机电驱动IC或者无线充电IC等。第二代技能的运用场景有望进一步扩展到具备超低泄电工艺选项的低功耗物联网产物。 继0.13微米的第一代及第二代技能以后,启方半导体今朝正于开发0.11微米嵌入式闪存工艺。为了满意客户日趋寻求更高存储密度的需求,该公司筹算年夜幅缩小闪存单位的尺寸,打造出存储密度高达4Mbits的闪存IP。