来历：北方华创
极年夜范围进步前辈集成电路制造技能不停演进，业界对于相干薄膜生长装备于匀称性、台阶笼罩率和热预算等方面的要求日趋晋升。原子层沉积技能依附精彩的保型性、高台阶笼罩率及膜厚匀称性，于业界广受承认，但同时其沉积效率较低的毛病也亟待解决。立式炉批量处置惩罚特征很好地填补了这一不足，奠基了立式炉原子层沉积装备于极年夜范围进步前辈集成电路制造中不成或者缺的职位地方。
此外，立式炉原子层沉积装备也可配备射频等离子系统统，以降低薄膜沉积的工艺温度，满意进步前辈工艺对于在器件低热预算的需求，是以最近几年立式炉原子层沉积装备遭到业界的广泛存眷，于极年夜范围进步前辈集成电路制造的存储、逻辑代工等范畴广泛运用，估计将来三年海内市场范围约10亿美元以上[1]。
[1]Gartner WFE_Forecast (2023)
北方华创紧跟财产成长程序，依托深挚的立式炉设备技能堆集，研发推出3款12英寸立式炉原子层沉积装备，进入客户端验证，且实现年夜范围量产。
等离子体加强氮化硅（PEALD Si3N4）原子层沉积立式炉（产物型号：DEMAX SN302P），冲破了射频等离子体孕育发生及体系节制、原位洗濯、腔室流场设计、炉体温控以和电气软件交互快速相应节制等一系列要害技能。装备广泛运用在极年夜范围进步前辈集成电路存储及逻辑工艺器件拦截层（ALD Si3N4/HRP）、侧壁绝缘层及掺杂薄膜沉积（SiCN、SiBN）工艺，已经斩获多家逻辑及存储范畴头部客户定单，装机量及反复定单量快速爬升。作为国产首批上市量产的等离子体加强氮化硅原子层沉积立式炉，为极年夜范围进步前辈集成电路制造提供了靠得住的设备支撑。
低介电常数（LoYABO鸭脖官网w-K）原子层沉积立式炉(产物型号：DEMAX CON302X)，冲破了液态源供给节制、排气快速切换节制、原位洗濯以和多元素工艺调控等新技能，降低了硅源薄膜的介电常数。装备重要运用在12英寸极年夜范围集成电路的栅极侧壁薄膜沉积工艺，以得到低介电常数、晋升薄膜耐腐化性，工艺指标优在同类产物，满意年夜范围集成电路对于高机能绝缘层的需求，今朝装备已经进入客户端工艺验证阶段。
间隙填充氧化硅原子层沉积立式炉（产物型号：DEMAX SN302T），冲破了器件高妙宽比成膜填充及高品质自由基氧化膜沉积技能，优化了腔室流场及进气管设计，显著提高了晶圆间成膜匀称性，并得到了优良的薄膜绝缘机能及器件高妙宽比填充效果。装备重要运用在存储范畴氧化硅绝缘层及介质填充层，特别于3D-NAND（闪存）进步前辈技能节点——绝缘介质间隙氧化硅填充工艺中广泛运用。于存储阵列中，该氧化硅薄膜对于与其相干的先后道膜层功效阐扬着要害作用，是立式炉于该范畴工艺制程中的主干装备，市场远景广漠。今朝，装备已经进入客户端。
北方华创颠末多年的技能立异和财产化验证，已经实现立式氧化/退火炉，立式LPCVD及立式ALD系列装备周全结构，并估计于本年下半年推出立式炉原子层沉积装备的其他DEMAX系列产物。
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