来历：Trend Force
据STDaily援引日本冲绳科学技能研究生院（OIST）官网近日报导称，该年夜学设计出一种逾越半导体系体例造尺度界限的极紫外（EUV）光刻技能。
基在此设计的光刻装备可使用更小的EUV光源，功耗不到传统EUV光刻装备的十分之一，可降低成本并年夜幅提高装备的靠得住性及寿命。
于传统光学体系（如拍照机、千里镜及通例紫外光刻技能）中，光圈及透镜等光学元件沿直轴对于称摆列。这类要领不合用在极紫外射线，由于其波长极短，年夜部门会被质料接收。
是以，EUV光利用月牙形镜子举行指导，但这会致使光偏离中央轴，捐躯主要的光学特征并降低体系的总体机能。
为相识决这个问题，新的光刻技能经由过程将两个带有微小中央孔的轴对于称镜子摆列于一条直线上来实现其光学特征。因为EUV的接收率很高，每一次镜子反射城市使能量削弱40%。
根据行业尺度，EUV光源能量颠末10面镜子后，仅有约1%可以或许达到晶圆，这对于EUV光输出的要求很是高。
比拟之下，将从EUV光源到晶圆的镜子数目限定为统共四个，可以使跨越10％的能量穿透晶圆，这可以年夜年夜降低功耗。
新型 EUV 光刻技能的焦点投影仪由两面近似天文千里镜的镜子构成，可以将光掩模图象转移到硅片上。该团队声称，这类配置很是简朴，由于传统投影仪至少需要六面镜子。
这是经由过程从头思索光学像差校准理论实现的，其机能已经经经由过程光学仿真软件验证，象征着它可以满意进步前辈半导体的出产要求。
此外，团队还有为此项新技能设计了一种名为“双线场”的新型照明光学要领，即使用EUV光从正面照射平面镜光罩，而不会滋扰光路。
原文链接：
https://www.trendforce.com/news/2024/08/05/news-novel-euvl-technology-emerges-surpassing-semiconductor-manufacturing-standard-line/
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