来历：Military Aerospace
UWBGS 规划将为半导体电子范畴的下一次革命，开发及优化超宽禁带质料及制造工艺。YABO鸭脖官网
美国军方研究职员需要为新一代超宽禁带半导体开发新型集成电路衬底、器件层、结及低电阻电触点。他们从 RTX 公司找到相识决方案。
位在美国弗吉尼亚州阿灵顿的美国国防高级研究规划局 (DARPA) 职员在 2024 年 9 月 13 日公布与美国弗吉尼亚州阿灵顿的 RTX 雷神公司部分签署一份价值 530 万美元的合同，用在超宽禁带半导体 (UWBGS) 项目。
UWBGS 项目将专注在开发及优化超宽禁带质料及制造工艺，以迎接半导体电子范畴的下一次革命。
超宽禁带技能代表了一种新型半导体，可用在将来射频及高功率电子、深紫外电光、量子电子以和必需于卑劣情况下运行的体系运用。
UWBGS 将为各类国防及贸易运用的可出产及靠得住的高机能超禁带器件奠基基础，例如高功率射频开关；高功率密度射频放年夜器；高功率射频掩护装配；高压开关；高温电子器件；以和深紫外激光器及发光二极管等。
该项目将解决一些要害的技能挑战，例照实现高质量的超宽禁带质料、定制超宽禁带质料电气特征、创立具备突变结及低缺陷密度的同质及异质布局以和超低电阻电接触。
UWBGS 将建造器件测试布局，以量化这些范畴的改良。为了实现方针，该规划将充实使用超宽禁带质料的最新进展。
DARPA 微体系技能办公室的专家正重点研究两种超宽禁带器件：直径年夜在 100 毫米的低缺陷密度衬底；具备高掺杂效率的突变同质结及异质结，具备低结缺陷密度及超低电阻电接触的器件层。
DARPA 的研究职员暗示，氮化铝、立方氮化硼及金刚石等超宽禁带质料有可能厘革半导体电子器件的运用，例如高功率射频开关及限幅器、用在雷达及通讯体系的高功率密度射频放年夜器、用在电力电子的高压开关、用在极度情况的高温电子器件及传感器、深紫外发光二极管 (LED) 及激光器等。
然而，现今超宽禁带质料的质量较差，限定了其机能，科学家必需降服多项技能挑战才能使这项技能取患上结果。
于为期三年的 UWBGS 规划中，雷神公司的工程职员将致力在提高器件层及结的质料质量，并提高金属触点的电气质量。
为此，雷神公司将专注在三个范畴：年夜面积超宽禁带衬底；超宽宽禁同质结及异质结的超宽宽禁质料掺杂剂；以和超低电阻电触点及超宽宽禁质料的混淆。
原文链接：
https://www.militaryaerospace.com/computers/article/55141464/raytheon-technologies-corp-ultrawide-bandgap-semiconductors-quantum-electronics-ultraviolet-lasers
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